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Discos de molibdênio de 99,95% de pureza personalizados Anel de molibdênio para indústria de semicondutores
| Lugar de origem | China |
|---|---|
| Marca | Hypersolid Metal |
| Quantidade de ordem mínima | Negociar |
| Preço | Negitionable |
| Detalhes da embalagem | Cartões de exportação normalizados |
| Tempo de entrega | 30 dias após receção do adiantamento |
| Termos de pagamento | L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram |
| Habilidade da fonte | 10000 conjuntos/mês |
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x| Densidade | 10,2 g/cm3 | Composição | 99.95% |
|---|---|---|---|
| Ponto de ebulição | 4639°C | Temperatura de funcionamento | 700~1400C |
| Ponto de fusão | 2623°C | Resistência à corrosão | Excelente. |
| Materiais | molibdênio | Densidade do produto | 10,2 g/cm3 |
| Realçar | Indústria de semicondutores Discos de molibdênio,99Discos de molibdênio de 0,95% |
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1,Descrição:
Os discos de molibdênio são componentes circulares feitos de molibdênio, um metal refratário conhecido por seu alto ponto de fusão, excelente condutividade térmica e propriedades mecânicas superiores.Os discos de molibdênio encontram aplicações em várias indústrias, incluindo eletrónica, aeroespacial e dispositivos médicos.
Os discos de molibdênio oferecem uma resistência excepcional a altas temperaturas devido ao seu alto ponto de fusão de aproximadamente 2610 °C (4730 °F).que os tornem adequados para utilização em ambientes de alta temperatura.
Estes discos apresentam uma excelente condutividade térmica, permitindo uma transferência de calor eficiente e uma distribuição de temperatura uniforme.tornando-os ideais para aplicações que exigem dissipadores de calor ou gestão térmica.
Os discos de molibdênio possuem também uma boa condutividade elétrica, permitindo a transmissão de sinais ou correntes elétricas.ou como componentes de dispositivos electrónicos.
2Especificações:
| Propriedade física | Descrição |
|---|---|
| Materiais | Molibdênio |
| Ponto de fusão | Aproximadamente 2610°C (4730°F) |
| Densidade | 10.2 g/cm3 |
| Conductividade térmica | 138 W/m·K |
| Conductividade elétrica | 18.5 × 10^6 S/m |
| Dureza | 5.5 - 5.6 Mohs |
| Módulo de Young | 329 GPa |
| Coeficiente de expansão térmica | 4.9 × 10^-6 K^-1 |
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