W Alvo de tungstênio Fusão de terras raras Titânio Alvo de poluição de tungstênio

Número do modelo Tungstênio que engasga o alvo
Quantidade de ordem mínima negocie
Preço Negitionable
Detalhes da embalagem caixas padrão de exportação
Tempo de entrega 30 dias após receber o pagamento inicial
Termos de pagamento L/C, D/A, D/P, T/T
Habilidade da fonte 10000sets/month

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Detalhes do produto
nome Alvos de pulverização de tungstênio Forma redondo
Materiais W Tungsténio Composição química 99.95% min.
Circunstância de superfície lathed, à terra, lustrando ou lustro do espelho Aplicação Aeronáutica, fundição de terras raras
Realçar

W Alvo de tungstênio

,

W alvo de pulverização de titânio e tungstênio

,

Meta de fusão de tungstênio de terras raras

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Descrição de produto

W Alvos de pulverização de tungstênio Aeronáutica, fundição de terras raras

 

Alvos de pulverização de tungstênio amplamente utilizados na indústria aeroespacial, fundição de terras raras, fonte de luz elétrica, equipamentos químicos, equipamentos médicos, máquinas metalúrgicas, equipamentos de fundição, petróleo, etc.

 

Parâmetro

 

OD ((mm)

ID ((mm)

Duração ((mm)

Feito sob medida

140 a 300

120 a 280

100-3300

 

 

Número do modelo

W1

Forma

personalizado

Composição química

990,95% W

 

Características

 

(1) Superfície lisa, sem poros, esporos e outras imperfeições, sem bordas, sem marcas de corte
(3) Nível de pureza sanguínea imbatível
(4) Alta ductilidade
(5) Marcação homogénea de micro microtrucultura para o seu produto especial com nome, marca, tamanho de pureza, etc.
(7) Cada peça de alvo de pulverização, a partir do número de materiais em pó, trabalhadores de mistura, tempo de saída de gases e HIP, pessoa de usinagem e detalhes de embalagem são todos feitos por nós mesmos.

 

Especificações

 

Número atómico

74

Número CAS

7440-33-7

Massa atómica

1830,84 [g/mol]

Ponto de fusão

3420 °C

Ponto de ebulição

5555 °C

Densidade a 20 °C

19.25 [g/cm3]

Estrutura cristalina

Cubo centrado no corpo

Coeficiente de expansão térmica linear a 20 °C

4.410-6[m/mK]

Conductividade térmica a 20 °C

164 [W/mK]

Calor específico a 20 °C

0.13 [J/gK]

Conductividade elétrica a 20 °C

18.2106[S/m]

Resistência elétrica específica a 20 °C

0.055 [(mm2)/m]

 

Aplicações

 

semicondutores

deposição química de vapor (CVD)

Display de deposição física de vapor (PVD)