Alta pureza 99,97% de tungstênio Meta Condição da superfície do solo para revestimento de pulverização

Número do modelo Alvo de tungsténio
Quantidade de ordem mínima negocie
Preço Negitionable
Detalhes da embalagem caixas padrão de exportação
Tempo de entrega 30 dias após receber o pagamento inicial
Termos de pagamento L/C, D/A, D/P, T/T
Habilidade da fonte 10000sets/month

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Detalhes do produto
Nome Alvo de tungsténio Forma Rondas
Materiais TUNGSTÊNIO Composição química 99,97%
Circunstância de superfície lathed, à terra, lustrando ou lustro do espelho Aplicação Revestimento por pulverização
Realçar

Meta de tungstênio moído

,

Meta de tungstênio de revestimento por pulverização

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Descrição de produto

Meta de tungstênio de alta pureza 99,97% para revestimento por pulverização

 

Introdução


1O alvo de pulverização de tungstênio adota as melhores técnicas demonstradas, incluindo fluorescência de raios-X (XRF), espectrometria de massa de descarga de brilho (GDMS) e plasma acoplado indutivamente (ICP);
2O alvo de tungstênio do Achemetal é fornecido com alta pureza de até 99,97%, densidade de 18,8-19 g/cm3, estrutura de organização homogênea e grão fino;
3Nosso alvo de pulverização de tungstênio foi aprovado pela ASTM B 760-2007 e GB 3875-2006.

 

Parâmetro

 

OD ((mm)

ID ((mm)

Duração ((mm)

Feito sob medida

140 a 300

120 a 280

100-3300

 

 

Número do modelo

W1

Forma

personalizado

Composição química

990,95% W

 

Características

 

1. Alta densidade
2. Alta resistência ao desgaste
3. Alta condutividade térmica com baixo coeficiente de expansão térmica

 

Especificações

 

Número atómico

74

Número CAS

7440-33-7

Massa atómica

1830,84 [g/mol]

Ponto de fusão

3420 °C

Ponto de ebulição

5555 °C

Densidade a 20 °C

19.25 [g/cm3]

Estrutura cristalina

Cubo centrado no corpo

Coeficiente de expansão térmica linear a 20 °C

4.410-6[m/mK]

Conductividade térmica a 20 °C

164 [W/mK]

Calor específico a 20 °C

0.13 [J/gK]

Conductividade elétrica a 20 °C

18.2106[S/m]

Resistência elétrica específica a 20 °C

0.055 [(mm2)/m]

 

Aplicações

 

semicondutores

deposição química de vapor (CVD)

Display de deposição física de vapor (PVD)